Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 14 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9530NSTRLPBF

RS Stock No.:: 215-2593
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9530NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 14 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9530NSTRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB730.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB781.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,760 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 180	THB36.519	THB730.38
200 - 380	THB35.606	THB712.12
400 +	THB35.059	THB701.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2593
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9530NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	200mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	79W
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Distrelec Product Id	304-39-418
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 79W
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Distrelec Product Id 304-39-418
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF9530NSTRLPBF

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2pack is a surface mount power package capable of accommodating die sizes upto HEX-4. It provide the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2pack is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

Advanced Process Technology

Fully avalanche rated

Fast switching

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 14 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9530NSTRLPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง