Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 215-2571
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1310NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB36,587.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39,148.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
800 - 800	THB45.734	THB36,587.20
1600 - 2400	THB44.74	THB35,792.00
3200 +	THB43.746	THB34,996.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2571
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1310NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	36mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	160W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	110nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	EIA 418
	Length	14.173in
	Width	1.079 in
	Height	1.197in
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 160W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals EIA 418
	Length 14.173in
	Width 1.079 in
	Height 1.197in
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF1310NSTRLPBF

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2pack is a surface mount power package capable of accommodating die sizes upto HEX-4. It provide the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2pack is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

Advanced Process Technology

Fully avalanche rated

Fast switching

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง