Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1310NSTRLPBF
- RS Stock No.:
- 215-2572
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1310NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB584.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB625.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 3,550 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB58.416 | THB584.16 |
| 200 - 390 | THB56.956 | THB569.56 |
| 400 + | THB56.079 | THB560.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2572
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1310NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 14.173in | |
| Standards/Approvals | EIA 418 | |
| Width | 1.079 in | |
| Height | 1.197in | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-412 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 14.173in | ||
Standards/Approvals EIA 418 | ||
Width 1.079 in | ||
Height 1.197in | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-39-412 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP150NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1310NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905TRPBF
