Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET, 27 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD33CN10NGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB609.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB652.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 12,120 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 620THB30.48THB609.60
640 - 1240THB29.718THB594.36
1260 +THB29.26THB585.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-2506
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD33CN10NGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS 2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

N-channel, normal level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free lead plating

Qualified according to JEDEC for target application

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง