Infineon N Channel Mosfet OptiMOS 2 N-Channel MOSFET, 50 A, 25 V Enhancement, 8-Pin Power Block 5x6 BSG0811NDATMA1

RS Stock No.:: 215-2466
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSG0811NDATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon N Channel Mosfet OptiMOS 2 N-Channel MOSFET, 50 A, 25 V Enhancement, 8-Pin Power Block 5x6 BSG0811NDATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 5000)*

THB228,410.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB244,400.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB45.682	THB228,410.00
10000 - 15000	THB44.312	THB221,560.00
20000 +	THB42.983	THB214,915.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2466
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSG0811NDATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	Power Block 5x6
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	6.25W
	Forward Voltage Vf	0.84V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	4.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	N Channel Mosfet
	Height	1.1mm
	Width	6.1mm
	Standards/Approvals	JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Length	5.1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type Power Block 5x6
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 6.25W
	Forward Voltage Vf 0.84V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 4.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration N Channel Mosfet
	Height 1.1mm
	Width 6.1mm
	Standards/Approvals JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Length 5.1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - BSG0811NDATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 25V Drain Source Voltage, 50A Maximum Continuous Drain Current - BSG0811NDATMA1

This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for high-current switching in compact power designs. It operates with an enhancement-mode N-channel topology and incorporates two elements on a single chip to serve dual-switch functions. The device is suitable for applications requiring a logic-level gate and low on-resistance within a low-voltage environment, and is supplied in a Power Block 5x6 package for dense board layouts.

Features and Benefits:

• Very low Rds(on) of 3mΩ enabling reduced conduction losses
• Maximum continuous drain current 50A for high-current demands
• Logic-level gate with Vgs limit of 4.5V for direct-drive compatibility
• Typical gate charge Qg 8.4nC supporting fast gate transitions
• Power dissipation rating 6.25W for effective thermal handling
• Operational range -55°C to 150°C for wide temperature tolerance

Applications

• Suitable for synchronous buck converters in power supplies
• Ideal for server VRM and high-current DC-DC modules
• Used with battery-management circuits in low-voltage systems
• Can be used for motor-driver stages in compact controllers
• Suitable for high-efficiency power distribution and load switching

What thermal limits should be considered during PCB design?

The device can operate up to150°C junction temperature and dissipates up to6.25W

thermal vias and adequate copper area are recommended to manage heat.

How does the dual-element construction affect layout choices?

Two elements per chip provide parallel current paths, reducing individual die stress and allowing tighter placement for symmetrical thermal distribution.

What gate-drive characteristics are required for efficient switching?

A gate drive compatible with a maximum gate-source rating of 4.5V and low charge requirement of 8.4nC reduces gate-driver losses and switching energy.

Are there material or regulatory standards relevant to selection?

The component conforms to JEDEC and RoHS and is manufactured on IEC61249-2-21 substrate, indicating standardised material and lead-free requirements.