Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB75,240.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB80,520.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB25.08THB75,240.00
6000 - 9000THB24.328THB72,984.00
12000 +THB23.598THB70,794.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-4456
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFR3710ZTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .

Its design is extremely efficient and reliable

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง