Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB49,762.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB53,246.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB24.881THB49,762.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-5544
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFR3710ZTRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.39 mm

Height

10.41mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET power MOSFET is utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced process technology

Ultra low on-resistance

175°C operating temperature

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Multiple package options

Lead-free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง