Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 222-4750
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR2405TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB41,098.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB43,974.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB20.549 | THB41,098.00 |
| 4000 - 4000 | THB19.758 | THB39,516.00 |
| 6000 + | THB19.508 | THB39,016.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4750
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR2405TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 56A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160kΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.39 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 56A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160kΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.39 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR2405TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR2405TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252