Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 56 A, 55 V TO-252 IRFR2405TRLPBF
- RS Stock No.:
- 258-3983
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR2405TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB58,389.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB62,475.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB19.463 | THB58,389.00 |
| 6000 - 6000 | THB18.49 | THB55,470.00 |
| 9000 + | THB17.565 | THB52,695.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3983
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR2405TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 56A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 56A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon R MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Increased ruggedness
Wide availability from distribution partners
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR2405TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR2405TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-252 IRFR3710ZTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252 IRFR3710ZTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB260NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRLR3915TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR024NTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRLR3705ZTRPBF