Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R185CFD7AUMA1
- RS Stock No.:
- 215-2522
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R185CFD7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB449.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB481.415
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB89.984 | THB449.92 |
| 750 - 1495 | THB87.734 | THB438.67 |
| 1500 + | THB86.384 | THB431.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2522
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R185CFD7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Package Type | ThinPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 185mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 85W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 8.1mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series 600V CoolMOS CFD7 | ||
Package Type ThinPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 185mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 85W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 8.1mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 is latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS™ 7 series. Cool MOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
Ultra-fast body diode
Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
Best-in-class RDS(on)/package combinations
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R285P7AUMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R365P7AUMA1
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V P, 3-Pin TO-220