Infineon BSV Type P-Channel MOSFET, -1.5 A, 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSV236SPH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 250-0562
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSV236SPH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB73.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB78.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,340 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB7.318 | THB73.18 |
| 20 - 90 | THB6.579 | THB65.79 |
| 100 - 240 | THB5.929 | THB59.29 |
| 250 - 490 | THB5.34 | THB53.40 |
| 500 + | THB4.794 | THB47.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0562
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSV236SPH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -1.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | BSV | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -1.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series BSV | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P is a Small-Signal-Transistor which is P-channel in Enhancement mode. The Super Logic Level (2.5 V rated). It is Avalanche rated and dv/dt rated.
VDS is 20 V, Rds(on) is 175 mΩ and Id is 1.5 A
150°C operating temperature
Maximum power dissipation is 560mW
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSV Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363
- Infineon BSD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Infineon BSD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD223PH6327XTSA1
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363 DMP31D7LDWQ-7
- DiodesZetex 2 Type N 4.6 A 6-Pin SOT-363
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363