STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 201-0886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW90N65G2V
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB34,937.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,383.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB1,164.598 | THB34,937.94 |
| 60 - 90 | THB1,139.28 | THB34,178.40 |
| 120 + | THB1,113.963 | THB33,418.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 201-0886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW90N65G2V
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 119A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SCTW90 | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 565W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Length | 15.75mm | |
| Height | 20.15mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 119A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SCTW90 | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 565W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Length 15.75mm | ||
Height 20.15mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 119A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW90N65G2V
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2V
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247