STMicroelectronics SCTW90 N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW90N65G2V

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
201-0886
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTW90N65G2V
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SCTW90

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

565W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18V

Maximum Operating Temperature

200°C

Height

20.15mm

Width

5.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 119A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง