STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW90N65G2V

RS Stock No.:: 201-0887
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW90N65G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW90N65G2V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,143.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,223.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 7	THB1,143.08
8 - 14	THB1,114.49
15 +	THB1,097.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 201-0887
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW90N65G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SCTW90
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	157nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	565W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	18 V
	Forward Voltage Vf	2.5V
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Height	20.15mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.15 mm
	Length	15.75mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SCTW90
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 565W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V
	Forward Voltage Vf 2.5V
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Height 20.15mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.15 mm
	Length 15.75mm
	Automotive Standard No

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 119A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW90N65G2V

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง