Vishay SiSS52DN Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB55,290.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB59,160.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 12,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB18.43THB55,290.00
6000 - 9000THB17.877THB53,631.00
12000 +THB17.34THB52,020.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
210-5015
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSS52DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

162A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS52DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43.2nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.83mm

Standards/Approvals

No

Width

3.4 mm

Length

3.4mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง