Vishay SiR882BDP Type N-Channel MOSFET, 67.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR882BDP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB362.93

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB388.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 740THB36.293THB362.93
750 - 1490THB35.385THB353.85
1500 +THB34.84THB348.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
210-5007
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiR882BDP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

67.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

SiR882BDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง