Vishay E N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA17N80AE-GE3

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
210-4960
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHA17N80AE-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

62nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.3mm

Standards/Approvals

No

Length

28.1mm

Width

9.7mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 7 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง