onsemi NTH Type N-Channel MOSFET & Diode, 31 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL080N120SC1A
- RS Stock No.:
- 205-2502
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL080N120SC1A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB391.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB418.57
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 324 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 112 | THB391.19 |
| 113 - 224 | THB381.40 |
| 225 + | THB375.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 205-2502
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL080N120SC1A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 178W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.48mm | |
| Length | 39.75mm | |
| Width | 15.37 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 178W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.48mm | ||
Length 39.75mm | ||
Width 15.37 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
The ON Semiconductor NTH series SiC N-channel 1200V MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Continuous Drain Current rating is 31A
Drain to source on resistance rating is 110mohm
High speed switching and low capacitance
100% UIL tested
Low effective output capacitance
Package type is TO-247-3LD
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL160N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL060N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL025N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247