Vishay SiHP052N60EF Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 204-7210
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP052N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiHP052N60EF Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB150,016.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB160,517.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB150.016	THB150,016.00
2000 - 3000	THB145.516	THB145,516.00
4000 +	THB141.15	THB141,150.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-7210
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP052N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Series	SiHP052N60EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	52mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	101nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	14.4mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.65 mm
	Length	10.52mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Series SiHP052N60EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 101nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 14.4mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.65 mm
	Length 10.52mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHP052N60EF-GE3

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

Vishay SiHP052N60EF Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง