Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R060P7XKSA1

RS Stock No.:: 214-8993
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPA60R060P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R060P7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB6,072.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,497.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB121.45	THB6,072.50
100 - 150	THB118.81	THB5,940.50
200 +	THB116.17	THB5,808.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-8993
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPA60R060P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Power Dissipation Pd	29W
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Power Dissipation Pd 29W
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPA60R060P7XKSA1

Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 48A Continuous Drain Current - IPA60R060P7XKSA1

This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power conversion in through-hole assemblies. It operates across an extended temperature range for demanding environments and is configured in enhancement-channel mode to control current flow in power circuits.

Features and Benefits:

• 600 V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 48 A continuous drain current supports substantial load handling
• 60 mΩ RDS(on) minimises conduction losses under normal conditions
• 29 W power dissipation permits sustained thermal loading
• 0.9 V forward voltage reduces voltage drop during conduction
• 30 V gate-source limit accommodates common gate drive voltages

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for industrial motor drive switching stages
• Used with heatsinking in through-hole power assemblies
• Can be used for high-voltage LED driver circuits
• Appropriate for laboratory and test-bench power electronics

What mounting option does it use?

It is supplied in a TO-220 package intended for through-hole mounting.

What polarity and operation mode should be expected?

It is an N-channel device operating in enhancement mode for gate-controlled conduction.

What thermal extremes can it withstand?

It is rated to function between −55 °C and +150 °C.

What is the maximum gate voltage that should not be exceeded?

The gate-source voltage must not exceed 30 V.

Is this component specified for automotive standard compliance?

It is not designated as an automotive-standard component.