Vishay SiHB105N60EF N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB105N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
204-7204
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB105N60EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SiHB105N60EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

102mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.88mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Width

4.83mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง