Vishay SiHG105N60EF Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG105N60EF-GE3
- RS Stock No.:
- 204-7209
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG105N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB814.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB871.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 470 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | THB162.828 | THB814.14 |
| 125 - 245 | THB158.756 | THB793.78 |
| 250 + | THB156.314 | THB781.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-7209
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG105N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SiHG105N60EF | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 102mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 20.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SiHG105N60EF | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 102mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.87mm | ||
Height 20.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHG105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG30N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHF30N60E-GE3
- Vishay SiHA105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHA105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA105N60EF-GE3
- Vishay SiHB105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB105N60EF-GE3