onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L080N120SC1

RS Stock No.:: 202-5740
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVH4L080N120SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L080N120SC1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB1,105.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,183.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

410 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 112	THB552.88	THB1,105.76
114 - 224	THB539.06	THB1,078.12
226 +	THB530.765	THB1,061.53

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NVH
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	15.8mm
	Height	22.74mm
	Width	5.2 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NVH
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 15.8mm
	Height 22.74mm
	Width 5.2 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L080N120SC1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 80 mΩ, TO247-4L

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง