onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
202-5739
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVH4L080N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NVH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

5.2 mm

Height

22.74mm

Length

15.8mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 80 mΩ, TO247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 29 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter, Automotive Auxiliary Motor Drive applications.

AEC Q101 qualified

100% avalanche tested

Low effective output capacitance

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง