onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L040N120SC1
- RS Stock No.:
- 202-5738
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB3,293.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,524.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 394 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 112 | THB1,646.89 | THB3,293.78 |
| 114 - 224 | THB1,605.71 | THB3,211.42 |
| 226 + | THB1,581.01 | THB3,162.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5738
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NVH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -50°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 319W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximum Operating Temperature | 170°C | |
| Height | 22.74mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.8mm | |
| Width | 5.2 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NVH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -50°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 319W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximum Operating Temperature 170°C | ||
Height 22.74mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.8mm | ||
Width 5.2 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, TO247-4L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 58 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.
AEC Q101 qualified
Production part approval process Capable
100% avalanche tested
Low effective output capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVHL160N120SC1
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L080N120SC1
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247