onsemi NVH N-Channel MOSFET, 17.3 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1
- RS Stock No.:
- 202-5743
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L160N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 115 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB1,788.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,913.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 110 | THB357.64 | THB1,788.20 | - |
| 115 - 220 | THB348.702 | THB1,743.51 | 2% |
| 225 + | THB343.338 | THB1,716.69 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5743
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L160N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | NVH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 111W | |
| Forward Voltage Vf | 4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.2mm | |
| Height | 22.74mm | |
| Length | 15.8mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series NVH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 111W | ||
Forward Voltage Vf 4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.2mm | ||
Height 22.74mm | ||
Length 15.8mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L040N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L020N120SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L160N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL040N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L023N065M3S
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L032N065M3S