onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 17.3 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1

RS Stock No.:: 202-5743
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVH4L160N120SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 17.3 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB1,578.13

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,688.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 110	THB315.626	THB1,578.13
115 - 220	THB307.738	THB1,538.69
225 +	THB303.004	THB1,515.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 202-5743
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVH4L160N120SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NVH
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	160mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	111W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Forward Voltage Vf	4V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	AEC-Q101 and PPAP Capable
	Length	15.8mm
	Width	5.2 mm
	Height	22.74mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NVH
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 111W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Forward Voltage Vf 4V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals AEC-Q101 and PPAP Capable
	Length 15.8mm
	Width 5.2 mm
	Height 22.74mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NVH4L160N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L

The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17.3 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

100% avalanche tested

Low effective output capacitance

RoHS compliant

onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 17.3 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง