onsemi NVH N-Channel MOSFET, 102 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L020N120SC1
- RS Stock No.:
- 202-5734
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L020N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*
THB1,206,166.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,290,597.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | THB2,680.369 | THB1,206,166.05 |
| 900 - 1350 | THB2,622.10 | THB1,179,945.00 |
| 1800 + | THB2,563.831 | THB1,153,723.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5734
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L020N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 102A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | NVH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 28mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 510W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 220nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 22.74mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Width | 5.2mm | |
| Length | 15.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 102A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series NVH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 510W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 220nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 22.74mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Width 5.2mm | ||
Length 15.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 20 mΩ, TO247-4L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 102 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.
AEC Q101 qualified
Production part approval process Capable
100% avalanche tested
Low effective output capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L020N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L040N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL040N120SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L080N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L023N065M3S
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L032N065M3S