onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1
- RS Stock No.:
- 202-5705
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB1,329.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,422.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- 422 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 112 | THB664.565 | THB1,329.13 |
| 114 - 224 | THB652.935 | THB1,305.87 |
| 226 + | THB640.97 | THB1,281.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5705
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NTH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 348W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 20.25mm | |
| Width | 4.82 mm | |
| Height | 15.87mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NTH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 348W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 20.25mm | ||
Width 4.82 mm | ||
Height 15.87mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.
40mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L160N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L020N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L040N120SC1