onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ขาดตลาด
เนื่องจากการขาดแคลนสินค้าทั่วโลก เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
202-5704
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTHL040N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NTH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

348W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

20.25mm

Width

4.82 mm

Height

15.87mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง