onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 84 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L020N120SC1
- RS Stock No.:
- 202-5697
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L020N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,146.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,226.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 174 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 112 | THB1,146.39 |
| 113 - 224 | THB1,117.74 |
| 225 + | THB1,100.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5697
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L020N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 84A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NTH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 28mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 220nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 510W | |
| Forward Voltage Vf | 3.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.2 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 18.62mm | |
| Height | 15.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 84A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NTH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 220nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 510W | ||
Forward Voltage Vf 3.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.2 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 18.62mm | ||
Height 15.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 102 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.
20mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L040N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L080N120SC1