onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

RS Stock No.:: 202-5698
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTH4L040N120SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*

THB247,584.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB264,915.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
450 - 450	THB550.187	THB247,584.15
900 - 1350	THB538.227	THB242,202.15
1800 +	THB526.266	THB236,819.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 202-5698
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTH4L040N120SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NTH
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	56mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	106nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	3.7V
	Maximum Power Dissipation Pd	319W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	5.2 mm
	Height	22.74mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NTH
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 3.7V
	Maximum Power Dissipation Pd 319W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 5.2 mm
	Height 22.74mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTH4L040N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 29 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, Boost inverter, Industrial Motor Drive, PV Charger.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง