onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 201 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTB004N10G
- RS Stock No.:
- 202-5688
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTB004N10G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB1,136.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,216.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,435 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | THB227.39 | THB1,136.95 |
| 200 - 395 | THB221.704 | THB1,108.52 |
| 400 + | THB218.296 | THB1,091.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5688
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTB004N10G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 201A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | NTB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 340W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 175nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.83mm | |
| Length | 10.63mm | |
| Height | 15.88mm | |
| Standards/Approvals | Pb-Free and are RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 201A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series NTB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 340W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 175nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.83mm | ||
Length 10.63mm | ||
Height 15.88mm | ||
Standards/Approvals Pb-Free and are RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Power MOSFET runs with 201 Ampere and 100 Volts. It can be used in Hot Swap in 48 V systems.
Low drain to source on resistance
High current capability
Wide safe operating area
Pb free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTBS9D0N10MC
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263