STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCTWA30N120

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
202-5493
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTWA30N120
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

HiP247

Series

SCT

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง