STMicroelectronics SCT10N120H SiC N-Channel SiC Power Module, 12 A, 1200 V, 3-Pin HiP247 SCT10N120H

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
204-3949
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT10N120H
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

HiP247

Series

SCT10N120H

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.52 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง