STMicroelectronics SCTH35 SiC N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
201-0890
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH35N65G2V-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCTH35

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.055 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง