STMicroelectronics SiC MOSFET N-Channel, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT018W65G3AG

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
671-935
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT018W65G3AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Series

SiC MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current (Id)

55 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

650 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

Hip-247

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

5.15 mm

Length

35.9 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

20 mΩ

Maximum Operating Temperature

200 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

398 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

76 nC

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง