Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 165-7610
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP4004PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB3,527.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,774.525

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 550 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 25	THB141.104	THB3,527.60
50 - 75	THB134.049	THB3,351.23
100 +	THB127.346	THB3,183.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-7610
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP4004PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	350A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-247
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	220nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	380W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Height	20.7mm
	Width	5.31 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 350A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-247
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 220nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 380W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Height 20.7mm
	Width 5.31 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MX

N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง