N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN82N60P
- RS Stock No.:
- 194-130
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN82N60P
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
สามารถสั่งจองล่วงหน้าได้
ราคา / Price Each
THB1,858.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,988.83
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
Units | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 2 | THB1,858.72 |
| 3 - 4 | THB1,812.25 |
| 5 + | THB1,784.38 |
- RS Stock No.:
- 194-130
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN82N60P
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 72 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Package Type | SOT-227B |
| Series | HiperFET, Polar |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Pin Count | 4 |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 1.04 kW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 38.2mm |
| Transistor Material | Si |
| Width | 25.07mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Height | 9.6mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |