STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

RS Stock No.:: 192-4661
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP26N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB5,657.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,053.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB113.146	THB5,657.30
100 - 150	THB110.686	THB5,534.30
200 +	THB108.226	THB5,411.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 192-4661
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP26N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	15A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	195mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.6mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.4mm
	Height	15.75mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 15A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 195mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.6mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.4mm
	Height 15.75mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง