onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB190N65S3F

RS Stock No.:: 195-2667
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVB190N65S3F
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB190N65S3F

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB992.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,061.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

270 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 190	THB99.228	THB992.28
200 - 390	THB96.747	THB967.47
400 +	THB95.259	THB952.59

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 195-2667
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVB190N65S3F
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Power Dissipation Pd	162W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Width	9.65 mm
	Height	4.58mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Power Dissipation Pd 162W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Width 9.65 mm
	Height 4.58mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVB190N65S3F

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

701 V @ TJ = 150°C

Higher system reliability at low temperature operation

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34 nC)

Lower switching loss

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 314 pF)

Lower switching loss

PPAP Capable

Typ. RDS(on) = 158 mΩ

Application

HV DC/DC converter

onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB190N65S3F

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง