STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 261-4759
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP65N150M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB7,756.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,299.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB155.122 | THB7,756.10 |
| 100 - 100 | THB150.469 | THB7,523.45 |
| 150 + | THB144.45 | THB7,222.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 261-4759
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP65N150M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 150mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 28.9mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 28.9mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Height 4.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package
This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
All features
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65N150M9
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF190N65S3HF
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL190N65S3HF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB190N65S3F
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW65R107M1HXKSA1