onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 189-0264
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTPF190N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB6,456.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,908.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB129.125	THB6,456.25
100 - 150	THB126.318	THB6,315.90
200 +	THB123.51	THB6,175.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 189-0264
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTPF190N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Power Dissipation Pd	36W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	16.12mm
	Width	4.9 mm
	Length	10.63mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Power Dissipation Pd 36W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 16.12mm
	Width 4.9 mm
	Length 10.63mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet NTPF190N65S3HF

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 35 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 467 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 161 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Computing

Consumer

Industrial

End Products

Notebook / Desktop computer / Game console

Telecom / Server

LED Lighting / Ballast

Adapter

onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง