onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 195-2666
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVB190N65S3F
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB110,484.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB118,218.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB138.106 | THB110,484.80 |
| 1600 - 2400 | THB133.962 | THB107,169.60 |
| 3200 + | THB129.944 | THB103,955.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2666
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVB190N65S3F
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 162W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.58mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 162W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.58mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
701 V @ TJ = 150°C
Higher system reliability at low temperature operation
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34 nC)
Lower switching loss
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 314 pF)
Lower switching loss
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 158 mΩ
Application
HV DC/DC converter
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB190N65S3F
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF190N65S3HF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB150N65S3F