onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL190N65S3HF

RS Stock No.:: 189-0461
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTHL190N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL190N65S3HF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB1,062.53

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,136.905

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB212.506	THB1,062.53
10 - 10	THB207.196	THB1,035.98
15 +	THB204.008	THB1,020.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 189-0461
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTHL190N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	NTHL
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	162W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	20.82mm
	Width	4.82 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series NTHL
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 162W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 20.82mm
	Width 4.82 mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

Datasheet NTHL190N65S3HF

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 35 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 467 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 161 mΩ

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL190N65S3HF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง