onsemi Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 186-1271
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTB110N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB135,279.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB144,748.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
800 - 800	THB169.099	THB135,279.20
1600 - 2400	THB164.026	THB131,220.80
3200 +	THB159.105	THB127,284.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 186-1271
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTB110N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	62nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.58mm
	Length	10.67mm
	Width	9.65 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 62nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.58mm
	Length 10.67mm
	Width 9.65 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet NTB110N65S3HF

ไม่สอดคล้อง

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 62 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 522 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง