onsemi Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 186-1281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVB082N65S3F
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB149,584.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB160,056.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB186.981 | THB149,584.80 |
| 1600 - 2400 | THB181.371 | THB145,096.80 |
| 3200 + | THB175.93 | THB140,744.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-1281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVB082N65S3F
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.58mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.58mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
SUPERFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power system for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET® MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150°C
Typ. RDS(on) = 64 m
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 722 pF)
These Devices are Pb−Free
Typical Applications
Automotive On Board Charger
Automotive DC/DC Converter for HEV
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB082N65S3F
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NVB190N65S3F
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTB110N65S3HF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTB095N65S3HF