STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4
- RS Stock No.:
- 188-8455
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD5NM60T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB186.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB199.895
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 115 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB37.364 | THB186.82 |
| 625 - 1245 | THB36.428 | THB182.14 |
| 1250 + | THB35.866 | THB179.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8455
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD5NM60T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | IPAK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 6.2mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type IPAK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.6mm | ||
Height 6.2mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performances.
Low input capacitance and gate charge
HIgh dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD1NK60-1
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD3NK80Z-1
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) STU7NM60N
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin IPAK