STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 188-8283
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB43N65M5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB269,532.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB288,399.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB269.532 | THB269,532.00 |
| 2000 - 3000 | THB261.446 | THB261,446.00 |
| 4000 + | THB253.603 | THB253,603.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8283
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB43N65M5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 630mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.35 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 4.37mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 630mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.35 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Height 4.37mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
Extremely low RDS(on)
Low gate charge and input capacitance
Excellent switching performance
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB43N65M5
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N65M2
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4