STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N65M2
- RS Stock No.:
- 188-8395
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD11N65M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB336.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB360.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,435 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB67.308 | THB336.54 |
| 625 - 1245 | THB65.626 | THB328.13 |
| 1250 + | THB64.62 | THB323.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8395
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD11N65M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 680mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 85W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.17mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Width | 6.2 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 680mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 85W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.17mm | ||
Length 6.6mm | ||
Width 6.2 mm | ||
Automotive Standard No | ||
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (COSS) profile
Zener-protected
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB43N65M5
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6507END3TL1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6507KND3TL1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R225C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R600CM8XTMA1