Vishay SiRA99DP Type P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA99DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 188-5097
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRA99DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB470.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB503.725
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,560 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB94.154 | THB470.77 |
| 750 - 1495 | THB92.506 | THB462.53 |
| 1500 + | THB90.814 | THB454.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5097
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRA99DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SiRA99DP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 172.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.07mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Length | 5.99mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SiRA99DP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 172.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.07mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Length 5.99mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET
Very low RDS(on) minimizes voltage drop and reduces conduction loss
Eliminates the need for charge pump
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiRA99DP Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin TSSOP
- Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8