P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA99DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-5097
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA99DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA99DP-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)**

THB503.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB538.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

16850 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
5 - 745	THB100.684	THB503.42
750 - 1495	THB98.922	THB494.61
1500 +	THB97.112	THB485.56

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5097
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA99DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SIRA99DP-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	195 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	2.6 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	104 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs	172.5 nC @ 10 V
Length	5.99mm
Width	5mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	1.07mm
Forward Diode Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 195 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA99DP-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง