Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin TSSOP
- RS Stock No.:
- 228-2822
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB48,999.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB52,428.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB16.333 | THB48,999.00 |
| 6000 - 6000 | THB15.922 | THB47,766.00 |
| 9000 + | THB14.844 | THB44,532.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2822
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | TSSOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type TSSOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET P-Channel power MOSFET is use for load switch, battery switch and power management.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin TSSOP Si6423ADQ-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8